三星宣布完成 16 層混合鍵結(jié)堆疊製程技術(shù)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在 HBM4 記憶體大面積應(yīng)用
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
報(bào)道稱，三星電子的高管Dae Woo Kim表示，在2024年韓國(guó)微電子和封裝學(xué)會(huì)年會(huì)上，三星電子將完成采用16層混合鍵合HBM內(nèi)存技術(shù)的驗(yàn)證。據(jù)悉，這項(xiàng)技術(shù)已通過(guò)技術(shù)驗(yàn)證。報(bào)道還稱，此次技術(shù)驗(yàn)證將為未來(lái)若干年內(nèi)的內(nèi)存市場(chǎng)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
Dae Woo Kim 表示，三星電子成功制造了基于混合鍵合技術(shù)的 16 層堆疊 HBM3 內(nèi)存，該內(nèi)存樣品工作正常，未來(lái) 16 層堆疊混合鍵合技術(shù)將用于 HBM4 內(nèi)存量產(chǎn)。
相較現(xiàn)有鍵合工藝，混合鍵合無(wú)需在 DRAM 內(nèi)存層間添加凸塊，而是將上下兩層直接銅對(duì)銅連接，可顯著提高信號(hào)傳輸速率，更適應(yīng) AI 計(jì)算對(duì)高帶寬的需求。
混合鍵合還可降低 DRAM 層間距，進(jìn)而減少 HMB 模塊整體高度，但也面臨成熟度不足，應(yīng)用成本昂貴的問(wèn)題。
三星電子在 HBM4 內(nèi)存鍵合技術(shù)方面采用兩條腿走路的策略，同步開(kāi)發(fā)混合鍵合和傳統(tǒng)的 TC-NCF 工藝。
結(jié)合下方圖片和本站以往報(bào)道，HBM4 的模塊高度限制將放寬到 775 微米，有利于繼續(xù)使用 TC-NCF。
三星正努力降低 TC-NCF 工藝的晶圓間隙，目標(biāo)在 HBM4 中將這一高度縮減至 7.0 微米以內(nèi)。
這份技術(shù)也面臨著質(zhì)疑。Dae Woo Kim 回?fù)舴Q三星電子的方案相較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士的 MR-RUF 更適合 12 層至 16 層的高堆疊模塊。
以上是三星宣布完成 16 層混合鍵結(jié)堆疊製程技術(shù)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在 HBM4 記憶體大面積應(yīng)用的詳細(xì)內(nèi)容。更多資訊請(qǐng)關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章！
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