8 月 8 日のこのサイトのニュースによると、サムスンは 2024 年のフラッシュ メモリ サミット (FMS) で、PM1753、BM1743、PM9D3a、PM9E1 などの多數(shù)の新しい SSD 製品をデモし、第 9 世代 QLCV-NAND、TLCV-NAND、およびCMM-D –DRAM、CMM-HTM、CMM-HPM、および CMM-BCXL テクノロジーが導(dǎo)入されました。 BM1743は最大128TBの容量、連続読み取り速度7.5GB/s、書き込み速度3.5GB/s、ランダム読み取り160萬IOPS、書き込み45,000IOPSのQLCフラッシュメモリを採用しています。 2.5 インチのフォーム ファクターと U.2 インターフェイスを備え、アイドル狀態(tài)の消費(fèi)電力は 4 W に削減され、その後の OTA アップデート後は、

6月24日の當(dāng)サイトのニュースによると、韓國メディアBusinessKoreaは、SKハイニックスが6月16日から20日まで米國ハワイで開催されたVLSI 2024サミットで3D DRAM技術(shù)に関する最新の研究論文を発表したと業(yè)界関係者が明らかにしたと報じた。この論文でSK Hynixは、5層積層型3D DRAMのメモリ歩留まりが56.1%に達(dá)し、実験で使用した3D DRAMは現(xiàn)行の2D DRAMと同様の特性を示したと報告している。報告書によると、メモリセルを水平に配置する従來のDRAMとは異なり、3D DRAMはセルを垂直に積み重ねて同じ空間內(nèi)でより高い密度を?qū)g現(xiàn)します。しかし、SKハイニックスは

3 月 11 日のこの Web サイトのニュースによると、情報源の Yuki Yaso-YuuKi_AnS は最近、X プラットフォーム上の Microsoft Z1000 ソリッド ステート ドライブ サンプルの一連の寫真を共有しました。ラベル情報から、この Z1000 は、2020 年 5 月 18 日に製造された、容量 960GB の Engineering Sample (エンジニアリング サンプル) であることがわかりました。情報源によると、NVMe1.2プロトコルをサポートしているという。 ▲Microsoft Z1000 SSD の前面寫真 (ラベルあり) ▲Microsoft Z1000 SSD の前面寫真 (ラベルなし) ▲Microsoft Z1000 SSD の背面寫真 ▲Microsoft Z1000 SSD の背面寫真 - メイン コントロールのクローズアップ リファレンス ゆうきやすほ-YuuKi_An

3月14日の當(dāng)サイトのニュースによると、Western DigitalはBICS6（162層）QLCフラッシュメモリを搭載したOEMメーカー向けソリッドステートドライブ「PCSN5000SNVMe」を発売したとのこと。 ▲Western Digital PCSN5000S ソリッドステート ドライブの寫真 具體的には、PCSN5000S は PCIeGen4x4 インターフェイス、NVMe2.0 プロトコルを使用し、Western Digital の最新の自社開発メイン コントロールを搭載しており、オプションの M.22280/2230 仕様と 3 つの容量バージョンを備えています。 512GB/1TB/2TB、nCache4.0ダイナミックSLCキャッ??シュテクノロジーをサポート。パラメータ的には、PCSN5000S の 3 つの容量の最大シーケンシャル読み取り速度は 6000MB/s、最大シーケンシャル書き込み速度は 4

8月7日の當(dāng)サイトのニュースによると、PhisonはFMS2024サミットでPascariエンタープライズクラスのソリッドステートドライブ製品ラインをフルデモンストレーションした。この製品ラインは 5 つの主要カテゴリをカバーしており、さまざまなエンタープライズ レベルおよびデータセンター アプリケーションを?qū)澫螭趣筏皮い蓼?。このサイトの簡単な紹介は次のとおりです: X シリーズ - 最高のパフォーマンス Phison の X シリーズ エンタープライズ クラス SSD は、「極端な書き込み要件に合わせて設(shè)計」されています。最初の X200 ファミリに加えて、Phison は最大容量 32TB 注 1 の 2 つの PCIe 4.0 製品、X100P と X100E、それぞれ 1DWPD と 3DWPD も発売しました。 X100Pも

この Web サイトは 7 月 22 日、ICEDOCK が今月 19 日に ExpressSlotMB204MP-B 4 ベイ M.2 ソリッド ステート ドライブ抽出ボックスを発売したと報告しました。抽出ボックスはPCIeAICアドオンカードの形狀を採用し、PCIe6Pin補(bǔ)助電源を必要とし、3次元寸法は204.5×21.59×126.9(mm)で、PCIe5.0プロトコルをサポートし、16GB/sのPCIe5を提供できます。各ソリッド ステート ドライブの .0×4 フルスピード帯域幅。 Esidak ExpressSlotMB204MP-B SSD 抽出ボックスは、M.22230/2242/2260/2280 SSD と互換性があります。ただし、これらの SSD の各側(cè)面の厚さは 1.5 mm を超えてはなりません。

6 月 18 日のこのサイトのニュースによると、サムスン セミコンダクターは最近、最新の QLC フラッシュ メモリ (v7) を搭載した次世代データセンター グレードのソリッド ステート ドライブ BM1743 をテクノロジー ブログで紹介しました。 ▲Samsung QLCデータセンターグレードのソリッドステートドライブBM1743 4月のTrendForceによると、QLCデータセンターグレードのソリッドステートドライブの分野で、SamsungとSK Hynixの子會社であるSolidigmだけが企業(yè)向け顧客検証に合格したという。その時。前世代の v5QLCV-NAND (このサイトの注: Samsung v6V-NAND には QLC 製品がありません) と比較して、Samsung v7QLCV-NAND フラッシュ メモリは積層數(shù)がほぼ 2 倍になり、記憶密度も大幅に向上しました。同時に、v7QLCV-NAND の滑らかさ

3 月 20 日のこの Web サイトのニュースによると、SK Hynix は最近 NVIDIA GTC2024 カンファレンスに出席し、コンシューマー市場向け初の Gen5NVMe ソリッド ステート ドライブ シリーズ、Platinum P51M.22280NVMeSSD をデモしました。 PlatinumP51 は GoldP31 および PlatinumP41 に似ており、自社設(shè)計の SSD マスター コントロールを使用しますが、主なハイライトは PCIeGen5 と 238 層 TLCNAND フラッシュ メモリの使用です。このサイトからのメモ: Hynix は 2012 年に SSD マスター コントロール メーカー LAMD を買収し、獨(dú)自のマスター コントロールを設(shè)計できるようになりました。 SKハイニックスはブースで、Platinum P51は500GB、1TB、2TBで発売されると述べた