Bei mechanischen Festplatten oder SATA-Solid-State-Laufwerken werden Sie die erh?hte Software-Laufgeschwindigkeit spüren. Wenn es sich um eine NVME-Festplatte handelt, spüren Sie sie m?glicherweise nicht. 1. Importieren Sie die Registrierung in den Desktop und erstellen Sie ein neues Textdokument, kopieren Sie den folgenden Inhalt, fügen Sie ihn ein, speichern Sie ihn als 1.reg, klicken Sie dann mit der rechten Maustaste, um den Computer zusammenzuführen und neu zu starten. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Kürzlich hat Xiaomi mit dem Xiaomi 14Pro ein leistungsstarkes High-End-Smartphone herausgebracht, das nicht nur über ein stilvolles Design verfügt, sondern auch über interne und externe schwarze Technologie verfügt. Das Telefon verfügt über Spitzenleistung und hervorragende Multitasking-F?higkeiten, sodass Benutzer ein schnelles und reibungsloses Mobiltelefonerlebnis genie?en k?nnen. Die Leistung wird jedoch auch vom Speicher beeinflusst. Viele Benutzer m?chten wissen, wie sie die Speichernutzung des Xiaomi 14Pro überprüfen k?nnen. Wie überprüfe ich die Speichernutzung auf dem Xiaomi Mi 14Pro? Einführung in die überprüfung der Speichernutzung des Xiaomi 14Pro. ?ffnen Sie die Schaltfl?che [Anwendungsverwaltung] in den [Einstellungen] des Xiaomi 14Pro-Telefons. Um die Liste aller installierten Apps anzuzeigen, durchsuchen Sie die Liste und suchen Sie die App, die Sie anzeigen m?chten. Klicken Sie darauf, um die Seite mit den App-Details aufzurufen. Auf der Seite mit den Bewerbungsdetails

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die ?HBM-?hnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den ?HBM-?hnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge hei?t das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungef?hr den gleichen technischen Weg gew?hlt, n?mlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kan?len. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512

Dem Bericht zufolge sagte Dae Woo Kim, Gesch?ftsführer von Samsung Electronics, dass Samsung Electronics auf der Jahrestagung 2024 der Korean Microelectronics and Packaging Society die Verifizierung der 16-schichtigen Hybrid-Bonding-HBM-Speichertechnologie abschlie?en werde. Es wird berichtet, dass diese Technologie die technische Verifizierung bestanden hat. In dem Bericht hei?t es au?erdem, dass diese technische überprüfung den Grundstein für die Entwicklung des Speichermarktes in den n?chsten Jahren legen werde. DaeWooKim sagte, dass Samsung Electronics erfolgreich einen 16-schichtigen gestapelten HBM3-Speicher auf Basis der Hybrid-Bonding-Technologie hergestellt hat. Das Speichermuster funktioniert in Zukunft normal für die Massenproduktion von HBM4-Speicher. ▲B(niǎo)ildquelle TheElec, wie unten: Im Vergleich zum bestehenden Bonding-Prozess müssen beim Hybrid-Bonding keine Unebenheiten zwischen den DRAM-Speicherschichten hinzugefügt werden, sondern es werden die oberen und unteren Schichten direkt mit Kupfer verbunden.

Diese Website berichtete am 21. M?rz, dass Micron nach der Ver?ffentlichung seines viertelj?hrlichen Finanzberichts eine Telefonkonferenz abgehalten habe. Sanjay Mehrotra, CEO von Micron, sagte auf der Konferenz, dass HBM im Vergleich zu herk?mmlichem Speicher deutlich mehr Wafer verbraucht. Micron sagte, dass der derzeit fortschrittlichste HBM3E-Speicher bei der Produktion derselben Kapazit?t auf demselben Knoten dreimal mehr Wafer verbraucht als Standard-DDR5, und es wird erwartet, dass HBM4 dieses Verh?ltnis in Zukunft weiter erh?hen wird, wenn die Leistung verbessert und die Verpackungskomplexit?t zunimmt . Unter Bezugnahme auf frühere Berichte auf dieser Website ist diese hohe Quote teilweise auf die niedrige Ertragsrate von HBM zurückzuführen. HBM-Speicher ist mit mehrschichtigen DRAM-Speicher-TSV-Verbindungen gestapelt. Ein Problem mit einer Schicht bedeutet, dass die gesamte

Laut Nachrichten dieser Website vom 7. Juni stellte GEIL seine neueste DDR5-L?sung auf der Taipei International Computer Show 2024 vor und stellte SO-DIMM-, CUDIMM-, CSODIMM-, CAMM2- und LPCAMM2-Versionen zur Auswahl. ▲B(niǎo)ildquelle: Wccftech Wie im Bild gezeigt, verfügt der von Jinbang ausgestellte CAMM2/LPCAMM2-Speicher über ein sehr kompaktes Design, kann eine maximale Kapazit?t von 128 GB und eine Geschwindigkeit von bis zu 8533 MT/s bieten Stabil auf der AMDAM5-Plattform. übertaktet auf 9000 MT/s ohne zus?tzliche Kühlung. Berichten zufolge kann der Speicher der Polaris RGBDDR5-Serie 2024 von Jinbang bis zu 8400 bereitstellen

Laut Nachrichten dieser Website vom 6. Mai hat Lexar den übertaktungsspeicher der Ares Wings of War-Serie DDR57600CL36 auf den Markt gebracht. Das 16GBx2-Set wird am 7. Mai um 0:00 Uhr gegen eine Anzahlung von 50 Yuan im Vorverkauf erh?ltlich sein 1.299 Yuan. Der Lexar Wings of War-Speicher verwendet Hynix A-Die-Speicherchips, unterstützt Intel In Bezug auf die W?rmeableitung ist dieses Speicherset mit einer 1,8 mm dicken W?rmeableitungsweste aus Vollaluminium ausgestattet und mit dem exklusiven w?rmeleitenden Silikonfettpad von PMIC ausgestattet. Der Speicher verwendet 8 hochhelle LED-Perlen und unterstützt 13 RGB-Beleuchtungsmodi.

Diese Website berichtete am 13. Juni, dass Samsung Electronics auf dem Samsung Foundry Forum 2024 North America, das am 12. Juni Ortszeit stattfand, bekr?ftigte, dass sein SF1.4-Prozess voraussichtlich im Jahr 2027 in Massenproduktion hergestellt wird, und widerlegte damit frühere Mediengerüchte. Samsung sagte, die Vorbereitungen für den 1,4-nm-Prozess schreiten reibungslos voran und es wird erwartet, dass das Unternehmen im Jahr 2027 sowohl bei der Leistung als auch bei der Ausbeute Meilensteine ??in der Massenproduktion erreichen wird. Darüber hinaus forscht Samsung Electronics aktiv an fortschrittlicher Logikprozesstechnologie in der Zeit nach 1,4 nm durch Innovationen bei Materialien und Strukturen, um Samsungs Engagement zu verwirklichen, das Mooresche Gesetz kontinuierlich zu übertreffen. Samsung Electronics best?tigte gleichzeitig, dass es weiterhin plant, den 3-nm-Prozess SF3 der zweiten Generation in der zweiten H?lfte des Jahres 2024 in Serie zu produzieren. Im traditionelleren Segment der FinFET-Transistoren plant Samsung Electronics die Einführung von S