• 三星意外揭示了Galaxy Z Fold 7，Galaxy Z Flip 7和Z Flip 7 Fe的存儲和RAM量
• Galaxy Z Fold 7似乎將帶有與頂部配置中的前任更多的RAM
• 洩漏還顯示了一些Z折7和Z FLIP 7箱，其中一些具有磁鐵

儘管三星為防止它們做出了最大的努力，但電話洩漏是不可避免的，但通常是由於洩漏者故意洩漏信息而導(dǎo)致的，而??不是無意間這樣做。

但是，對於三星Galaxy Z Flip 7和Samsung Galaxy Z Fold 7，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)生了兩次意外洩漏三星本身。

首先是三星愛爾蘭網(wǎng)站上的某些顏色選項(xiàng)的外觀，現(xiàn)在Leaker Roland Quandt在土耳其三星網(wǎng)站上發(fā)現(xiàn)了條款和條件文檔，該網(wǎng)站列出了這些即將到來的手機(jī)的RAM大小和存儲能力。

根據(jù)該文檔，Galaxy Z Fold 7提供了12GB的RAM與256GB或512GB的存儲空間，以及帶有1TB存儲空間的16GB RAM版本。這些存儲選項(xiàng)與三星Galaxy Z Fold 6保持不變，但是上一個(gè)型號的所有變體都只提供12GB的RAM，這意味著頂級Z FOLL 7將提供RAM的增加。

FLIP 7和FLIP 7 FE

繼續(xù)前進(jìn)，三星Galaxy Z Flip 7被列為提供12GB的RAM，並具有256GB或512GB的存儲空間。這些與三星Galaxy Z Flip 6相同。

此外，此處包括Galaxy Z Flip 7 Fe的規(guī)格，列出它具有8GB RAM，可提供128GB或256GB的存儲空間。

由於此數(shù)據(jù)直接來自三星網(wǎng)站，因此幾乎可以肯定的是準(zhǔn)確，儘管我們不能完全確定直到三星在7月9日正式揭示詳細(xì)信息之前，某些地區(qū)可能會收到不同的配置。

磁充電可能需要一個(gè)情況

無論如何，Galaxy Z Flip 7（由Android標(biāo)題共享）和Galaxy Z Fold 7（由Nieuwemobiel共享）的洩漏案例渲染現(xiàn)在已經(jīng)浮出水面。

他們沒有透露我們以前還沒有看到或聽到過的手機(jī)本身，但值得注意的是，有幾個(gè)案例具有磁鐵，這表明這兩款手機(jī)都可能支持類似於三星Galaxy S25系列的磁性充電。

具體而言，儘管磁鐵不會集成到手機(jī)本身中，但用戶應(yīng)該能夠磁性地連接充電器和其他配件，類似於Apple的MagSafe系統(tǒng)，但需要磁性盒才能啟用此類功能。如果是真的，那將有些不知所措，但並不意外。

三星將在7月9日的下一個(gè)Galaxy Unwected活動中正式宣布所有這些設(shè)備，因此我們很快就會確切地知道他們提供的內(nèi)容。

以上是哎呀！三星只是意外地共享了一些關(guān)鍵的星系z折7和Z FLIP 7規(guī)格的詳細(xì)內(nèi)容。更多資訊請關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章！