Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die ?HBM-?hnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den ?HBM-?hnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge hei?t das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungef?hr den gleichen technischen Weg gew?hlt, n?mlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kan?len. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512

Laut Nachrichten dieser Website vom 30. Juli gab Micron heute (Ortszeit) bekannt, dass sein 3DTLC NAND-Flash-Speicher der neunten Generation (Hinweis zur Website: 276 Schichten) in Massenproduktion hergestellt und ausgeliefert wird. Micron gab an, dass sein G9NAND die branchenweit h?chste I/O-übertragungsrate von 3,6 GB/s (d. h. 3600 MT/s Flash-Speicherschnittstellenrate) aufweist, was 50 % h?her ist als die bestehenden Konkurrenzprodukte von 2400 MT/s und diese besser erfüllen kann Anforderungen datenintensiver Workloads. Gleichzeitig ist Microns G9NAND hinsichtlich der Schreibbandbreite bzw. Lesebandbreite 99 % bzw. 88 % h?her als andere L?sungen auf dem Markt. Dieser Vorteil auf NAND-Partikelebene bringt Leistung und Energieeffizienz für Solid-State-Laufwerke und eingebettete Speicher L?sungen. Darüber hinaus ist Micron 276, wie frühere Generationen von Micron NAND-Flash-Speichern, erh?ltlich

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. Juli hat Samsung nach Angaben der koreanischen Medien TheElec erstmals versucht, Molybd?n (Mo) in der ?Metallverkabelung“ (Metalwiring) seines V-NAND der 9. Generation zu verwenden. Hinweis von dieser Website: Die acht Hauptprozesse im Halbleiterherstellungsprozess sind: Waferherstellung, Oxidation, Fotolithographie, ?tzen, Abscheidung, Testen von Metallverdrahtungen, Verpackung, Metallverdrahtungsprozess, bei dem haupts?chlich verschiedene Methoden verwendet werden, um Milliarden elektronischer Komponenten zu verbinden, um verschiedene Halbleiter (CPU, GPU usw.) zu bilden. ) kann man sagen, dass es ?Halbleitern Leben einhaucht“. Quellen zufolge hat Samsung fünf Mo-Abscheidungsmaschinen von Lam Research eingeführt und plant, im n?chsten Jahr 20 weitere Ger?te auf den Markt zu bringen. Neben Samsung Electronics sind auch Unternehmen wie SK Hynix, Micron und Kioxia dabei

Laut Nachrichten vom 9. August stellte SK Hynix auf dem FMS2024-Gipfel seine neuesten Speicherprodukte vor, darunter den universellen Flash-Speicher UFS4.1, dessen Spezifikationen noch nicht offiziell ver?ffentlicht wurden. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste UFS-Spezifikation im August 2022 UFS4.0. Die theoretische Schnittstellengeschwindigkeit betr?gt bis zu 46,4 Gbit/s. Es wird erwartet, dass UFS4.1 die übertragung weiter verbessern wird Rate. 1. Hynix demonstrierte Allzweck-Flash-Speicherprodukte mit 512 GB und 1 TBUFS4.1, basierend auf 321-Layer-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher. SK Hynix zeigte auch 3,2 Gbit/s V92TbQLC- und 3,6 Gbit/s V9H1TbTLC-Partikel. Hynix pr?sentiert V7-basiert

Die lokale Feinabstimmung von Deepseek-Klasse-Modellen steht vor der Herausforderung unzureichender Rechenressourcen und Fachkenntnisse. Um diese Herausforderungen zu bew?ltigen, k?nnen die folgenden Strategien angewendet werden: Modellquantisierung: Umwandlung von Modellparametern in Ganzzahlen mit niedriger Pr?zision und Reduzierung des Speicherboots. Verwenden Sie kleinere Modelle: W?hlen Sie ein vorgezogenes Modell mit kleineren Parametern für eine einfachere lokale Feinabstimmung aus. Datenauswahl und Vorverarbeitung: W?hlen Sie hochwertige Daten aus und führen Sie eine geeignete Vorverarbeitung durch, um eine schlechte Datenqualit?t zu vermeiden, die die Modelleffizienz beeinflusst. Batch -Training: Laden Sie für gro?e Datens?tze Daten in Stapel für das Training, um den Speicherüberlauf zu vermeiden. Beschleunigung mit GPU: Verwenden Sie unabh?ngige Grafikkarten, um den Schulungsprozess zu beschleunigen und die Trainingszeit zu verkürzen.

Laut Nachrichten dieser Website vom 9. August und einer Pressemitteilung von SK Hynix gestern Ortszeit stellte das Unternehmen auf dem FMS2024-Gipfel eine Reihe neuer Speicherprodukte vor, darunter USF4.1-Universal-Flash-Speicher, der noch nicht offiziell ver?ffentlicht wurde Spezifikationen. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste derzeit angekündigte UFS-Spezifikation UFS4.0 im August 2022. UFS4.0 spezifiziert eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 46,4 Gbit/s für jedes Ger?t, und USF4.1 soll die übertragungsrate weiter verbessern. ▲JEDECUFS-Spezifikationsseite SK Hynix demonstrierte zwei UFS4.1-Allzweck-Flash-Speicher mit Kapazit?ten von 512 GB bzw. 1 TB, beide basierend auf dem 321-Layer-Stapel-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher.

Laut Nachrichten dieser Website vom 23. Juli gab die JEDEC Solid State Technology Association, der Standardsetzer für Mikroelektronik, am 22. Ortszeit bekannt, dass die technischen Spezifikationen für DDR5MRDIMM- und LPDDR6CAMM-Speicher bald offiziell eingeführt werden, und stellte die wichtigsten Details dieser beiden vor Erinnerungen. Das ?MR“ in DDR5MRDIMM steht für MultiplexedRank, was bedeutet, dass der Speicher zwei oder mehr Ranks unterstützt und mehrere Datensignale auf einem einzigen Kanal ohne zus?tzliche physische Daten kombinieren und übertragen kann. Die Verbindung kann die Bandbreite effektiv erh?hen. JEDEC hat mehrere Generationen von DDR5MRDIMM-Speichern geplant, mit dem Ziel, die Bandbreite schlie?lich auf 12,8 Gbit/s zu erh?hen, verglichen mit den aktuellen 6,4 Gbit/s des DDR5RDIMM-Speichers.

Laut Nachrichten dieser Website vom 31. Juli berichteten die koreanischen Medien ZDNetKorea, dass die QLC-Version des V9NAND-Flash-Speichers von Samsung Electronics noch keine Massenproduktionslizenz erhalten hat, was sich auf die Planung der Produktionslinie für die P4-Fabrik in Pyeongtaek ausgewirkt hat. Samsung Electronics gab im April dieses Jahres bekannt, dass die TLC-Version seines V9NAND-Flash-Speichers mit 1 TB Kapazit?t die Massenproduktion erreicht hat und die entsprechende QLC-Version in der zweiten H?lfte dieses Jahres in die Massenproduktion gehen wird. Bisher hat Samsung Electronics jedoch keine PRA-Lizenz (Hinweis auf dieser Website: sollte sich auf ?Production Readiness Approval“ beziehen) für die Massenproduktion von V9QLCNAND-Flash-Speichern ausgestellt. QLC-Flash-Speicher mit h?herer Kapazit?t und geringeren Kosten sind derzeit der Hotspot für den Speicherbedarf von KI-Inferenzservern. Die Zukunft der Star-Produkte ist unklar, was die drei ausmacht